-E&R: soluciones avanzadas líderes en integración de procesos de SiC para mejorar el rendimiento de los procesos
KAOHSIUNG, 3 de noviembre de 2023 /PRNewswire/ — El carburo de silicio (SiC) es fundamental en los semiconductores, con E&R Technology comprometida a aumentar el rendimiento del proceso a través de soluciones vitales de integración de SiC. El SiC supera al silicio con resistencia a altas temperaturas, tolerancia de voltaje superior, potentes capacidades de energía y pérdidas mínimas, lo que lo hace ideal para las industrias automotriz y 5G.
Si bien las obleas de SiC vienen principalmente en tamaños de 4 y 6 pulgadas, se están realizando esfuerzos para desarrollar obleas de 8 y 12 pulgadas, a pesar de los desafíos de rendimiento del proceso. Los fabricantes de IDM de nivel 1 como ONSEMI, Infineon y Bosch están anunciando planes de expansión y productos para 2024-2025.
E&R colabora con proveedores y líderes de la industria global, ofreciendo soluciones clave de integración de SiC:
Recocido por láser: E&R implementa láseres de longitud de onda ultracorta con su solución de óptica acelerada (ACES) de desarrollo propio para un recocido superficial preciso y uniforme.
Marcado de identificación de obleas: con más de 30 años de experiencia en láser, E&R emplea un láser UV de 355 nm, diseñado para SiC, que satisface las demandas de precisión y rendimiento. Funciona para obleas de 6, 8 y 12 pulgadas, tanto en la parte superior como en la trasera.
Corte en cubitos y ranurado de obleas: E&R utiliza tecnologías láser Pico segundo y Femto segundo líderes en la industria para cortar y ranurar, logrando un ancho de corte mínimo de 3 um. Combinadas con la tecnología de rotura mecánica, sus máquinas logran una precisión de ±1 um y reducen con éxito el astillado y el agrietamiento de las obleas, al tiempo que minimizan la zona afectada por el calor (HAZ) con un espesor de refundición inferior a 2 um.
Espectroscopia Raman: en colaboración con fundiciones de obleas líderes en el mundo, E&R presenta la tecnología de espectroscopia Raman. Al iluminar las obleas con luz láser en su superficie o en su interior, inducen la dispersión Raman, lo que permite un análisis eficaz de la forma de onda para obtener información fundamental sobre las obleas, como la tensión interna, la estructura de la red, las grietas y las concentraciones de elementos. Esta tecnología permite a los clientes evaluar y ajustar de manera integral los parámetros del proceso, reduciendo las pérdidas debido a diversos defectos y, en última instancia, mejorando el rendimiento del proceso.
Tratamiento con plasma: E&R ofrece diversas tecnologías de tratamiento con plasma, incluidas fuentes de plasma de baja frecuencia, radiofrecuencia y microondas. Estos garantizan un proceso de limpieza altamente uniforme para las obleas antes de unir los cables y moldearlos, lo que da como resultado una alta hidrofilicidad de la superficie y un ángulo de contacto con el agua de menos de 10 grados. Además, E&R propone una solución de descarbonización por plasma para reducir las capas de carbono, fortaleciendo así el posterior proceso de metalización de la parte posterior.
E&R seguirá colaborando con los clientes y explorando posibilidades para lograr procesos de fabricación más eficientes, contribuyendo al desarrollo futuro de la industria de los semiconductores.
Del 14 al 17 de noviembre, E&R expondrá en Semicon Europa en Messe München. Pase por el expositor número B2378 para tener una conversación fructífera con E&R.
Sitio web de E&R: https://en.enr.com.tw/
Medios Contacto: [email protected]
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